3nm ٹیکنالوجی کا اعلان کیا! سیمسنگ نے تازہ ترین 3GAE پروسیسنگ کی تفصیلات کا اشتراک کیا

حالیہ IEEE بین الاقوامی ٹھوس ریاست سرکٹس کانفرنس میں، سیمسنگ نے اپنے 3nm Gae MBCFET چپ مینوفیکچررز کے کچھ تفصیلات کا اشتراک کیا.

ڈیجیٹلوں کی طرف سے جاری کردہ تازہ ترین رپورٹ کے مطابق، ٹی ایس ایم سی کے 3nm عمل اس سال کے دوسرے نصف میں مقدمے کی سماعت کی پیداوار شروع کرے گی. حالیہ برسوں میں، اعلی درجے کی ٹیکنالوجی کے عمل میں سیمسنگ اور ٹی ایس ایم سی کے درمیان مقابلہ تیزی سے سخت ہو گیا ہے. اگرچہ سیمسنگ TSMC کے پیچھے جھگڑا کر رہا ہے، یہ مسلسل پکڑ رہا ہے.

یہ اطلاع دی گئی ہے کہ 3nm عمل کے لحاظ سے، TSMC اب بھی فائنفیٹ ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے اصرار کرتا ہے، لیکن سیمسنگ نے نانوچپ ٹرانسمسٹرز کو منتقلی کا انتخاب کیا ہے.

اجنجونگونگ گیت کے مطابق، اجلاس میں سیمسنگ الیکٹرانکس کے نائب صدر، نینو چپ ساختہ ٹرانجسٹر ایک کامیاب ڈیزائن ہو گا کیونکہ یہ ٹیکنالوجی "تیز رفتار، کم بجلی کی کھپت اور چھوٹے علاقے" فراہم کرسکتا ہے.

حقیقت میں، 2019 کے آغاز کے طور پر، سیمسنگ نے سب سے پہلے 3nm عمل کا اعلان کیا اور یہ واضح کیا کہ یہ Finfet کو چھوڑ دے گا. سیمسنگ نے 3GAE اور 3GAP میں 3nm عمل کو تقسیم کیا. اجلاس میں، سیمسنگ نے کہا کہ 3GAE پروسیسنگ نوڈ 30٪ کی کارکردگی میں بہتری حاصل کرے گی، جبکہ بجلی کی کھپت 50٪ کی کمی کی جا سکتی ہے، اور ٹرانجسٹر کثافت بھی 80٪ تک بڑھ سکتی ہے.

کیونکہ یہ 7nm اور 5nm پروسیسنگ نوڈس پر TSMC کے پیچھے رہتا ہے، سیمسنگ نے 3nm عمل کے لئے اعلی امید کی ہے اور نینکوچپ ٹرانسمیٹر کو TSMC ختم کرنے کے لئے استعمال کرنے کی امید ہے.

یہ اطلاع دی گئی ہے کہ سیمسنگ کے 3 جے کے عمل کو 2022 میں سرکاری طور پر شروع کیا جائے گا، اور میٹنگ میں دکھایا گیا بہت سے تفصیلات بھی یہ بتاتے ہیں کہ سیمسنگ نے 3nm عمل میں ایک اور قدم آگے بڑھایا ہے.

سیمسنگ کے 3 جے کے عمل کے آغاز کے وقت کا فیصلہ، سیمسنگ اور ٹی ایس ایم سی 2022 میں اعلی درجے کی 3nm عمل کے لئے زیادہ شدید مقابلہ کرے گا.